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FFPF10UP60S — Ultrafast Diode
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
2
www.fairchildsemi.com
FFPF10UP60S Rev. C1
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Notes:
1. Pulse : Test Pulse width = 300?s, Duty Cycle = 2%
Test Circuit and Waveforms
Parameter Conditions Min. Typ. Max. Unit
VF1
Maximum Instantaneous Forward Voltage
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
TC
= 25
?C
TC
= 100
?C
-
-
-
-
2.2
2.0
V
IR1
Maximum Instantaneous Reverse Current
@ rated V
R
TC
= 25
??C
TC
= 100
?C
-
-
-
-
100
500
?A
trr
IF
=1 A, di
F/dt = 100 A/?s, VR= 30 V TC
= 25
?C- - 25 ns
trr
Irr
Qrr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Charge
(IF
=8 A, di
F/dt = 200 A/?s, VR = 390 V)
-
-
-
34
1.0
17
40
1.5
30
ns
A
nC
trr
Maximum Reverse Recovery Time
(IF
=10 A, di
F/dt = 200 A/?s, VR
=390 V)
-58-ns
WAVL
Avalanche Energy (L = 40 mH) 20 - - mJ
Figure 1. Diode Reverse Recovery Test Circuit & Waveform
Figure 2. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform
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